onsemi (Ansemi)
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MMBT5551LT1G
NPN 160V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Número de pieza
MMBT5551LT1G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This high voltage NPN bipolar transistor is suitable for general switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
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