TI (Texas Instruments)
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UCC27712DR Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A

UCC27712DR

Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A
Número de pieza
UCC27712DR
Categoría
Power Chip > Gate Driver IC
Fabricante/Marca
TI (Texas Instruments)
Encapsulación
SOIC-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
UCC27712 620-V high-side/low-side gate driver with 2.5-A peak output and robust drive capability
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