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RM25C128DS-LSNI-B

RM25C128DS-LSNI-B

IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8SOIC
Número de pieza
RM25C128DS-LSNI-B
Fabricante/Marca
Serie
Mavriq™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
CBRAM
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Suministro de voltaje
1.65 V ~ 3.6 V
Tipo de memoria
Non-Volatile
Tamaño de la memoria
128kb (64B Page Size)
Tiempo de acceso
-
Frecuencia de reloj
20MHz
Formato de memoria
CBRAM®
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página
100µs, 5ms
interfaz de memoria
SPI
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Palabras clave deRM25C128DS-LSNI-B
RM25C128DS-LSNI-B Componentes electrónicos
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