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ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Número de pieza
ALD212900APAL
Fabricante/Marca
Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Potencia - Máx.
500mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PDIP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
10.6V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
80mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
14 Ohm
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
10mV @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
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