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AO4771L

AO4771L

MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC
Número de pieza
AO4771L
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Body)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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