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AON6403

AON6403

MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN
Número de pieza
AON6403
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerSMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6)
Disipación de energía (máx.)
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
21A (Ta), 85A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9120pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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