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AON6532P

AON6532P

MOSFET N-CH DFN
Número de pieza
AON6532P
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
-
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Disipación de energía (máx.)
35.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
68A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
710mV @ 1A
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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