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CMUDM8001 TR

CMUDM8001 TR

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523
Número de pieza
CMUDM8001 TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-523
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-523
Disipación de energía (máx.)
250mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.66nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
45pF @ 3V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4V
Vgs (máx.)
10V
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