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C3M0120090D
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Número de pieza
C3M0120090D
Fabricante/Marca
Serie
C3M™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
97W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
23A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17.3nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 600V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
15V
Vgs (máx.)
+18V, -8V
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