La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
C3M0280090J
MOSFET N-CH 900V 11A
Número de pieza
C3M0280090J
Fabricante/Marca
Serie
C3M™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paquete de dispositivo del proveedor
D2PAK-7
Disipación de energía (máx.)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
15V
Vgs (máx.)
+18V, -8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 15785 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deC3M0280090J
C3M0280090J Componentes electrónicos
C3M0280090J Ventas
C3M0280090J Proveedor
C3M0280090J Distribuidor
C3M0280090J Tabla de datos
C3M0280090J Fotos
C3M0280090J Precio
C3M0280090J Oferta
C3M0280090J El precio más bajo
C3M0280090J Buscar
C3M0280090J Adquisitivo
C3M0280090J Chip