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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Número de pieza
DMG6601LVT-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
850mW
Paquete de dispositivo del proveedor
TSOT-26
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.8A, 2.5A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
422pF @ 15V
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Palabras clave deDMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7 Componentes electrónicos
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