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DMP58D0LFB-7
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
Número de pieza
DMP58D0LFB-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-UFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Disipación de energía (máx.)
470mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
50V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
180mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
27pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 5V
Vgs (máx.)
±20V
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