Comprar Diodes Incorporated DMT6012LSS-13 MOSFET N-CH 60V8SOIC

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DMT6012LSS-13

MOSFET N-CH 60V8SOIC

Número de pieza

DMT6012LSS-13

Fabricante/Marca

Diodes Incorporated

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

1.2W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1522pF @ 30V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

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