La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
EPC2012C
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Número de pieza
EPC2012C
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die Outline (4-Solder Bar)
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 41737 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deEPC2012C
EPC2012C Componentes electrónicos
EPC2012C Ventas
EPC2012C Proveedor
EPC2012C Distribuidor
EPC2012C Tabla de datos
EPC2012C Fotos
EPC2012C Precio
EPC2012C Oferta
EPC2012C El precio más bajo
EPC2012C Buscar
EPC2012C Adquisitivo
EPC2012C Chip