La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
EPC2100
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Número de pieza
EPC2100
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 25687 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deEPC2100
EPC2100 Componentes electrónicos
EPC2100 Ventas
EPC2100 Proveedor
EPC2100 Distribuidor
EPC2100 Tabla de datos
EPC2100 Fotos
EPC2100 Precio
EPC2100 Oferta
EPC2100 El precio más bajo
EPC2100 Buscar
EPC2100 Adquisitivo
EPC2100 Chip