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EPC2100ENGRT
Hojas de datos

EPC2100ENGRT

MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Número de pieza
EPC2100ENGRT
Fabricante/Marca
EPC
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
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