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EPC2101
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Número de pieza
EPC2101
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A, 38A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
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