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EPC2105
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Número de pieza
EPC2105
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A, 38A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
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