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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Número de pieza
EPC2108ENGRT
Fabricante/Marca
EPC
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
9-VFBGA
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
9-BGA (1.35x1.35)
Tipo FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V, 100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.7A, 500mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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