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TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Número de pieza
EPC2110ENGRT
Fabricante/Marca
EPC
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
120V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 700µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
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