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EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

200 V GAN IC FET DRIVER
Número de pieza
EPC2112ENGRT
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
-
Características
-
Aplicaciones
DC-DC Converters
Paquete / Estuche
-
Interfaz
On/Off
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Suministro de voltaje
4.5 V ~ 5.5 V
Corriente - Salida / Canal
10A
Corriente - Salida máxima
40A
Protección contra fallas
-
Configuración de salida
High Side
Tipo de carga
Inductive
Rds activados (tipo)
32 mOhm
Tensión - Carga
4.5 V ~ 5.5 V
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