Comprar GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247 TRANS SJT 1200V 5A

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GA05JT12-247

TRANS SJT 1200V 5A

Número de pieza

GA05JT12-247

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AB

Disipación de energía (máx.)

106W (Tc)

Tipo FET

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 5A

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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