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GA08JT17-247
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Número de pieza
GA08JT17-247
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AB
Disipación de energía (máx.)
48W (Tc)
Tipo FET
-
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1700V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Tc) (90°C)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 8A
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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