Comprar GeneSiC Semiconductor MBR20035CT DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

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MBR20035CT

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Número de pieza

MBR20035CT

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

Twin Tower

Paquete de dispositivo del proveedor

Twin Tower

Tipo de diodo

Schottky

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

650mV @ 100A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5mA @ 20V

Configuración de diodo

1 Pair Common Cathode

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

35V

Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo)

200A (DC)

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

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