Comprar Global Power Technologies Group GP1M009A090N MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

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GP1M009A090N

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Número de pieza

GP1M009A090N

Fabricante/Marca

Global Power Technologies Group

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3PN

Disipación de energía (máx.)

312W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

900V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4.75A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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