Comprar Global Power Technologies Group GP1M010A080N MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

GP1M010A080N

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Número de pieza

GP1M010A080N

Fabricante/Marca

Global Power Technologies Group

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3PN

Disipación de energía (máx.)

312W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

900V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2336pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 53973 PCS

Información del contacto