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GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Número de pieza
GP1M013A050FH
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220F
Disipación de energía (máx.)
52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
13A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1918pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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