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GSID200A120S3B1
SILICON IGBT MODULES
Número de pieza
GSID200A120S3B1
Fabricante/Marca
Serie
Amp+™
Estado de la pieza
Active
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
D-3 Module
Potencia - Máx.
1595W
Configuración
2 Independent
Paquete de dispositivo del proveedor
D3
Corriente - Colector (Ic) (Max)
400A
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
1200V
Corriente: corte del colector (máx.)
1mA
Tipo IGBT
-
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 200A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
20nF @ 25V
Aporte
Standard
Termistor NTC
No
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