La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AUIRF7343QTR

AUIRF7343QTR

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Número de pieza
AUIRF7343QTR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
55V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.7A, 3.4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 45677 PCS
Información del contacto
Palabras clave deAUIRF7343QTR
AUIRF7343QTR Componentes electrónicos
AUIRF7343QTR Ventas
AUIRF7343QTR Proveedor
AUIRF7343QTR Distribuidor
AUIRF7343QTR Tabla de datos
AUIRF7343QTR Fotos
AUIRF7343QTR Precio
AUIRF7343QTR Oferta
AUIRF7343QTR El precio más bajo
AUIRF7343QTR Buscar
AUIRF7343QTR Adquisitivo
AUIRF7343QTR Chip