Comprar Infineon Technologies BSC029N025S G MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

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Hojas de datos

BSC029N025S G

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Número de pieza

BSC029N025S G

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

24A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 80µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5090pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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