Comprar Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

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Hojas de datos

BSC082N10LSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

Número de pieza

BSC082N10LSGATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

156W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

13.8A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 110µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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