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BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
Número de pieza
BSF050N03LQ3GXUMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-WDSON
Paquete de dispositivo del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Disipación de energía (máx.)
2.2W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
15A (Ta), 60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deBSF050N03LQ3GXUMA1
BSF050N03LQ3GXUMA1 Componentes electrónicos
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