Comprar Infineon Technologies BSO615NGHUMA1 MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

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BSO615NGHUMA1

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Número de pieza

BSO615NGHUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-DSO-8

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 20µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

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