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IDH04G65C5XKSA2

IDH04G65C5XKSA2

DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
Número de pieza
IDH04G65C5XKSA2
Fabricante/Marca
Serie
thinQ!™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO220-2-1
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
4A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.7V @ 4A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
70µA @ 650V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
650V
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
130pF @ 1V, 1MHz
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