Comprar Infineon Technologies IPB065N15N3GE8187ATMA1 MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

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Hojas de datos

IPB065N15N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Número de pieza

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-7

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

130A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 270µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7300pF @ 75V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

8V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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