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IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Número de pieza
IPB093N04LGATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Disipación de energía (máx.)
47W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 16µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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