Comprar Infineon Technologies IPB60R190C6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

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Hojas de datos

IPB60R190C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

Número de pieza

IPB60R190C6ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D²PAK (TO-263AB)

Disipación de energía (máx.)

151W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 630µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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