Comprar Infineon Technologies IPB65R190C7ATMA2 MOSFET N-CH TO263-3

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IPB65R190C7ATMA2

MOSFET N-CH TO263-3

Número de pieza

IPB65R190C7ATMA2

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3

Disipación de energía (máx.)

72W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

13A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 290µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 400V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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