Comprar Infineon Technologies IPD053N06N3GBTMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

IPD053N06N3GBTMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Número de pieza

IPD053N06N3GBTMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3

Disipación de energía (máx.)

115W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

90A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 58µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 44233 PCS

Información del contacto