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IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Número de pieza
IPD100N06S403ATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3-11
Disipación de energía (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 90µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10400pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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