Comprar Infineon Technologies IPD80R1K0CEBTMA1 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IPD80R1K0CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Número de pieza

IPD80R1K0CEBTMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252-3

Disipación de energía (máx.)

83W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.9V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 29133 PCS

Información del contacto