Comprar Infineon Technologies IPD95R2K0P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 4A TO252

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IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

Número de pieza

IPD95R2K0P7ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3

Disipación de energía (máx.)

37W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

950V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 80µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 400V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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