Comprar Infineon Technologies IPG20N04S4L07ATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

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Hojas de datos

IPG20N04S4L07ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Número de pieza

IPG20N04S4L07ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Potencia - Máx.

65W

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8-4

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 30µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 25V

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