Comprar Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1 MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

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IPG20N10S4L22AATMA1

MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

Número de pieza

IPG20N10S4L22AATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Potencia - Máx.

60W

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8-10

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.1V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1755pF @ 25V

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