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IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Número de pieza
IPG20N10S4L35ATMA1
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Potencia - Máx.
43W
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-4
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.1V @ 16µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1105pF @ 25V
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