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IPP10N03LB G

IPP10N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
Número de pieza
IPP10N03LB G
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Disipación de energía (máx.)
58W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1639pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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