Comprar Infineon Technologies IRF6614 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

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IRF6614

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

Número de pieza

IRF6614

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric ST

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ ST

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12.7A (Ta), 55A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.25V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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