Comprar Infineon Technologies IRF6644TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN

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IRF6644TR1

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN

Número de pieza

IRF6644TR1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric MN

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ MN

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.3A (Ta), 60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.8V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2210pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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