Comprar Infineon Technologies IRF6709S2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

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Hojas de datos

IRF6709S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Número de pieza

IRF6709S2TR1PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric S1

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET S1

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta), 21W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta), 39A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.35V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 13V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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