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IRF6775MTR1PBF

IRF6775MTR1PBF

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Número de pieza
IRF6775MTR1PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DirectFET™ Isometric MZ
Paquete de dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Disipación de energía (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1411pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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